硅光電池的主要參數有    
 

     當硅光電池受到光線照射時，光子便與硅原子中的電子發生碰撞，使電子離開原來的位置，成為自由電子.而電子原來的位置就成為空穴。由于PN結處存在結電場，運動到PN結附近的電子被拉向N區，空穴被拉向P區，于是在N,P兩區就形成了電子和空穴的集累，使N區和P區兩端產生電動勢。這就是光生伏特效應。當有負載通過上電極引線和背電極引線接到電他片上時，就有電流流過。

    硅光電池的主要參數有:

    1.開路電壓VOC為450--600毫伏。

    2.每一平方厘米硅光電池的短路電流為16-30毫安.

    3.轉換效率n為6-12%.

    測量這幾項參數時，把硅光電池置于光源的照射下，在光電池兩極接上高內阻直流毫伏表，測得的電壓即為開路電壓;把低內阻電流表連到硅光電池的兩極上，測得的電流即為短路電流;單位面積的硅光電池的最大輸出功率與垂直入射到光電池表面上的入射光功率之比為硅光電池的轉換效率。

    這些參數應以赤道附近太陽直射地區的海平面的太陽光源實測而得，那里太陽光的強度約為100毫瓦/厘米，。生產廠家一般用·28500K色溫的碘鎢燈或鋇鎢燈作光源進行測量。